| 單價(jià)： | 面議 |
| 發(fā)貨期限： | 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨 |
| 所在地： | 福建 廈門 |
| 有效期至： | 長期有效 |
| 發(fā)布時(shí)間： | 2024-03-06 02:09 |
| 最后更新： | 2024-03-06 02:09 |
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廈門中芯晶研可提供2",3",4",6"碳化硅單晶片。
碳化硅晶片由純硅和碳組成，與硅相比具有三大優(yōu)勢(shì):
l 更高的臨界雪崩擊穿場強(qiáng)
l 更大的導(dǎo)熱系數(shù)
l 更寬的禁帶
碳化硅晶片具有3電子伏特(eV)的寬禁帶，可以承受比硅大8倍的電壓梯度而不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿。禁帶越寬，在高溫下的漏電流就越小，效率也越高。而導(dǎo)熱系數(shù)越大，電流密度就越高。SiC襯底具有更高的電場強(qiáng)度，可以使用更薄的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，其厚度可能僅為硅外延層的十分之一。SiC的摻雜濃度比硅高2倍，器件的表面電阻降低了，傳導(dǎo)損耗也顯著減少。