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DDR測試,開放式硬件實(shí)驗(yàn)室

單價(jià): 面議
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 直轄市 上海
有效期至: 長期有效
發(fā)布時間: 2023-12-20 02:06
最后更新: 2023-12-20 02:06
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DDR測試,開放式硬件實(shí)驗(yàn)室


  DDR3相較于DDR2而言主要有如下幾個特點(diǎn):
  1.突發(fā)長度(Burst Length,BL):由于DDR3的預(yù)取為8bit,突發(fā)傳輸周期(Burst Length,BL)也固定為8,而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式,即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸,屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。需要指出的是,任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制(如4bit順序突發(fā))。
  2.尋址時序(Timing):就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2~5之間,而DDR3則在5~11之間,且附加延遲(AL)的**也有所變化。DDR2時AL的范圍是0~4,而DDR3時AL有三種選項(xiàng),分別是0、CL-1和CL-2。DDR3還新增加了一個時序參數(shù)-寫入延遲(CWD),這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。


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