HN1000B 斷路器剩余電流保護(hù)器動作特性測試儀（分A型AC型B型F型） B型剩余電流斷路器測試儀（以下簡稱測試儀）是為剩余電流斷路器的性能測試而研制，它是檢測B型剩余電流斷路器脫扣電流和分?jǐn)鄷r(shí)間的關(guān)鍵儀器。
測試儀適用于電子式和電磁式的剩余電流斷路器。
1P+N、2P、、+N、4P的斷路器均能測試，輸出大剩余電流為2A。
系統(tǒng)顯示和操作采用流行的工業(yè)級觸摸屏，操作簡單； 接地方式：可靠接地   測試儀輸出的電流值為真有效值，測試不確定度小于1%； （2）50Hz交流剩余電流范圍：0~2A； 選項(xiàng)角為0°的脈動直流剩余電流，電流的范圍為0~800mA； 選項(xiàng)角為135°的直流剩余電流，電流的范圍為0~200mA； （5）疊加平滑直流的范圍為5~100mA；  先測試出可控硅的峰值電壓，將電線正負(fù)極連接至K兩極，接地線接至室內(nèi)主接地上，逐漸升壓，測試其漏電流數(shù)值。
進(jìn)行漏電測試后，逐漸升壓，觀測漏電流，當(dāng)數(shù)值超過其額定峰值電壓后，可控硅被擊穿，但采用此方法可能會破壞其PN結(jié)，并且只能測試其是否導(dǎo)通，而不能測試其導(dǎo)通是否良好，故不再采用此法進(jìn)行測試。
搖表測試法用搖表對可控硅進(jìn)行測量，參照之前使用的漏電檢測法。
為防止搖表法測試過程中擊穿或損壞可控硅，改變搖表操作方法，即要對搖表電壓和轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制，兩筆端鏈接K極對其進(jìn)行測試。
LTE測試雖進(jìn)步顯著未來仍面臨三重關(guān)互操作測試任務(wù)仍艱巨三大運(yùn)營商3G網(wǎng)絡(luò)已完成大規(guī)模建設(shè)，新部署的LTE網(wǎng)絡(luò)在較長時(shí)期內(nèi)難以達(dá)到2G/3G網(wǎng)絡(luò)的覆蓋廣度和深度，且VoLTE目前還不夠成熟，LTE與2G/3G網(wǎng)絡(luò)不能孤立運(yùn)行，必須通過互操作來保證業(yè)務(wù)在網(wǎng)絡(luò)之間的連續(xù)性。
LTE與2G/3G的互操作包括語音互操作和數(shù)據(jù)互操作。
以移動為例，對于數(shù)據(jù)互操作，不僅要求TD-LTE與TD-SCDMA之間實(shí)現(xiàn)空閑態(tài)的雙向重選、連接態(tài)的雙向重定向，還要求TD-LTE與GSM網(wǎng)間實(shí)現(xiàn)互操作以保證業(yè)務(wù)連續(xù)性，復(fù)雜的切換場景對測試工作而言是艱巨的挑戰(zhàn)。
關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細(xì)梳理一下，也許對于您的知識系統(tǒng)更加。
下面是對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)其中參考了一些資料。
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時(shí)候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，電壓等，電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。
這樣的電路也許是可以工作的，但并不是的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。